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　　本周五，碳化硅概念再度爆发，天岳先进20cm涨停，三安光电600703）、通富微电002156）、赛腾股份603283）同样涨停，晶升股份、华润微、光力科技300480）等涨幅居前。

　　其一，1月13日，全球碳化硅技术龙头Wolfspeed宣布，成功制造出行业首个300毫米(12英寸)单晶体碳化硅晶圆，标志着产业向更高产量、更低成本制造迈出了决定性的一步，为满足未来十年AI、电动汽车的庞大需求铺平了道路。

　　其二，几乎在同一时间，国内也传来捷报。由晶盛机电300316）子公司浙江晶瑞研发的12英寸碳化硅衬底，成功实现了厚度均匀性(TTV)≤1微米的关键技术突破，并已开始小批量出货。这打破了碳化硅因其超高硬度带来的精密加工瓶颈，并且整条中试线%国产化，意义重大。

　　其三，台积电的最新财报同样推波助澜。1月15日，台积电公布2025年第四季度财报。该季度台积电营收1.046万亿新台币(约合337.3亿美元)，同比增长20.5%。该季度台积电净利润5057亿新台币(约合160亿美元)，同比增长35%，创历史新高，并连续第七个季度实现两位数增长。另外，台积电预计2026年资本支出将增长高达37%，达到560亿美元，远高于2025年实际支出的409亿美元，创下该公司历史新高。

　　这一潜在的天量需求预期，彻底打开了碳化硅在AI算力领域的想象空间。作为第三代半导体核心材料，碳化硅(SiC)凭借其独特的特性，正逐步突破传统硅基半导体的物理极限，成为推动新能源革命与算力升级的关键力量。

　　和其他材料相比，碳化硅具有更大的禁带宽度，可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而可以耐受更高的工作温度。碳化硅的禁带宽度是硅的约3倍，理论工作温度可达400℃以上。

　　此外，碳化硅的临界击穿场强是硅的约10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。

　　同时，高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。

　　值得注意的是，碳化硅的饱和电子漂移速率更是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。

　　随着全球能源转型与人工智能算力需求爆发，碳化硅产业竞争已从单点技术突破进入全生态布局的新阶段。

　　另外，凭借其高耐压、高频率、低损耗的优异性能，碳化硅正加速渗透新能源汽车的主驱逆变器、车载充电机(OBC)及直流变换器(DC-DC)。机构数据显示，采用碳化硅模块可使电动汽车续航里程提升5%-10%，或降低电池成本

　　在微波通讯领域，碳化硅同样大放异彩，碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。

　　中金公司601995）最新研究报告认为，碳化硅(SiC)材料是第三代化合物半导体的典型代表，特别是在下游需求快速成长的新能源相关应用中，中金公司认为SiC相比Si基材料优势明显：1)在新能源车领域，SiC器件有望解决续航里程短、补能时间长等痛点；2)在光伏发电方面，SiC器件有望提升逆变器转换效率及使用寿命。

　　根据Wolfspeed预测，2026年SiC相关器件市场有望达到89亿美元，衬底市场有望达到17亿美元，合计市场超百亿。

　　这里证券之星为大家整理了部分碳化硅概念股，需要注意的是，相关概念股仅供投资者参考，不构成任何投资建议。

　　1、天岳先进：全球碳化硅衬底龙头，导电型衬底市占率全球前三，8英寸产品已量产。

　　2、三安光电：国内化合物半导体IDM龙头，重庆8英寸碳化硅衬底项目已点亮通线、晶升股份：半导体晶体生长设备供应商，为碳化硅衬底生产提供核心设备。

　　4、露笑科技002617）：公司从2020年起开始布局碳化硅领域，设立合肥露笑半导体材料有限公司，掌握了4英寸、6英寸导电性碳化硅衬底片的工艺。

　　5、新洁能605111）：公司专注于功率器件设计领域，在碳化硅MOSFET方面有深入布局，已经成功推出第二代碳化硅MOSFET系列产品。

　　6、立昂微605358）：旗下立昂东芯专注于相关技术的突破，已经完成开发国内第一款6英寸0.45微米-0.25微米的碳化硅基氮化镓工艺技术产品开发。